我們?cè)谑褂胾盤時(shí)或多或少都會(huì)注意它的讀出以及寫入的速度，這次就有一個(gè)小伙伴問(wèn)快啟動(dòng)小編，為何U盤讀出速度比寫入速度快?是的，讀出速度與寫入速度是不一樣的，所以今天快啟動(dòng)小編為大家分享詳細(xì)的u盤讀出速度比寫入速度快的相關(guān)知識(shí)點(diǎn)哦。

　　下面是NAND的規(guī)格書：

　　? Page Read Operation

　　- Page Size : (4K + 128)Byte

　　- Random Read : 60μs(Max.)

　　- Serial Access : 25ns(Min.)

　　? Memory Cell : 2bit / Memory Cell

　　? Fast Write Cycle Time

　　- Program time : 800μs(Typ.)

　　- Block Erase Time : 1.5ms(Typ.)

　　去除寫命令和地址的時(shí)間

　　單頁(yè)讀速度：(4096+128)/(60μs+(4096+128)*25ns)=24.3M/s 實(shí)際可用數(shù)據(jù)：23.6M/s

　　單塊cache讀速度：(4096+128)*128/(60μs+(4096+128)*25ns*128)=38M/s 實(shí)際可用數(shù)據(jù)：36.8M/s

　　單頁(yè)寫速度：(4096+128)/(800μs+(4096+128)*25ns)=4.4M/s實(shí)際可用數(shù)據(jù)：4.3M/s

　　單塊cache寫速度：(4096+128)*128/(800μs*128+(4096+128)*25ns)=5M/s 實(shí)際可用數(shù)據(jù)：4.9M/s

　　所有加速技術(shù)(交錯(cuò)+Cache)用上后的極限速度

　　讀：4096/(4096+128)*25ns=37M/s

　　寫：4096/800μs/2=9.8M/s

　　實(shí)際寫的時(shí)候如果需要擦除還要加上擦除所需的時(shí)間。

　　實(shí)際讀出來(lái)的時(shí)候，主控也要做ECC校驗(yàn)，這也要花部分時(shí)間。

　　所以讀出要比寫入快。

　　到此，U盤讀出速度比寫入速度快的相關(guān)原因就為大家分享結(jié)束了，u盤讀出與寫入是有所偏差的，大家要想了解清楚的話，不妨多多了解快啟動(dòng)小編分享的內(nèi)容，希望對(duì)大家有用哦。